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WTCT04N019L

更新时间： 2024-10-03 14:53:23

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先科 - SWST		晶体
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7页	553K
描述
功率金氧半电晶体

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WTCT04N019L 数据手册

WTCT04N019L-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Advanced trench Cell Design

• Low Thermal Resistance

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-220FB Plastic Package

Applications

Source

• DC - DC Converter

• Motor drivers

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

2.6 @ V_GS= 10 V

3.3 @ V_GS= 4.5 V

1.9

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

70 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

100

T_c= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

I_DM

I_AS

400

E_AS

140

℃

P_D

35.7

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

3.5

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 53 A, V_GS= 10 V.

℃/W

R_θJA

℃

1 / 7

Dated: 29/09/2022 Rev: 02

12 3 4 5 6 7

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