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WTC2309

更新时间： 2024-02-10 20:00:14

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描述
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WTC2309 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

WTC2309 数据手册

WTC2309

P-Channel Enhancement

Mode Power MOSFET

DRAIN CURRENT

-3.7 AMPERES

DRAIN

DRAIN SOURCE VOLTAGE

-30 VOLTAGE

GATE

SOURCE

Features:

*Super High Dense Cell Design For Low R_DS(ON)

R_DS(ON)<75mΩ@V_GS=-10V

*Rugged and Reliable

*Simple Drive Requirement

*SOT-23 Package

SOT-23

Maximum Ratings^(T_A^{=25℃ Unless Otherwise Specified)}

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

-30

V_DS

V_GS

±20

-3.7

-3.0

-12

³,(T_A=25˚C)

,(T_A=70˚C)

I_D

1,2

Pulsed Drain Current

I_DM

P_D

Total Power Dissipation(T_A=25˚C)

1.38

˚C/W

˚C

Maximum Thermal Resistance Junction-ambient³

Operating Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

-55~+150

T_J,T_stg

Device Marking

WTC2309=2309

WEITRON

http:www.weitron.com.tw

23-May-05

1/6

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