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WTC2306A-G

更新时间： 2024-02-04 07:06:48

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Transistor

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WTC2306A-G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

WTC2306A-G 数据手册

WTC2306A

N-Channel Enhancement

Mode Power MOSFET

DRAIN CURRENT

5 AMPERES

DRAIN

DRAIN SOURCE VOLTAGE

30 VOLTAGE

* “G” Lead(Pb)-Free

GATE

SOURCE

Features:

*Super High Dense Cell Design For Low R_DS(ON)

R_DS(ON)<30mΩ@V_GS=10V

*Rugged and Reliable

*Simple Drive Requirement

*SOT-23 Package

SOT-23

Maximum Ratings^(T_A^{=25℃ Unless Otherwise Specified)}

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

±12

Continuous Drain Current ³

,V_GS@4.5V(T_A

I_D

1,2

Pulsed Drain Current

I_DM

P_D

Total Power Dissipation(TA=25

)

1.38

˚C/W

˚C

Maximum Thermal Resistance Junction-ambient ³

R_θJA

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55~+150

T_J, T_stg

Device Marking

WTC2306A=2306A

WEITRON

http:www.weitron.com.tw

13-May-05

1/6

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