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WTC2306

更新时间： 2024-02-25 22:16:51

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描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WTC2306 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

WTC2306 数据手册

WTC2306

N-Channel Enhancement

Mode Power MOSFET

DRAIN CURRENT

5.3 AMPERS

DRAIN

P b

Lead(Pb)-Free

DRAIN SOUCE VOLTAGE

20 VOLTAGE

GATE

Features:

SOURCE

*Super High Dense Cell Design For Low R_DS(ON)

R_DS(ON)<90mΩ@V_GS=12V

*Rugged and Reliable

*Capable of 2.5V Gate Drive

*Simple Drive Requirement

*SOT-23 Package

SOT-23

Applications

*Power Management in Notebook Computer

*Portable Equipment

*Battery Powered System

Maximum Ratings^(T_A^{=25℃ Unless Otherwise Specified)}

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current³

V_DS

V_GS

±12

5.3

4.3

,V_GS@4.5V(T

I_D

,V_GS@4.5V(T

Pulsed Drain Current^1,2

I_DM

P_D

Total Power Dissipation(TA=25 )

℃

1.38

℃/W

℃

Maximum Junction-ambient³

R_{ɵ JA}

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55~+150

T_J, T_stg

Device Marking

WTC2306=2306

WEITRON

http:www.weitron.com.tw

13-May-05

1/6

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