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WTC2305

更新时间： 2024-02-29 07:13:40

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描述
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WTC2305 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

WTC2305 数据手册

WTC2305

P-Channel Enhancement

Mode Power MOSFET

DRAIN CURRENT

-4.2 AMPERES

DRAIN

DRAIN SOURCE VOLTAGE

-20 VOLTAGE

GATE

Features:

SOURCE

*Super High Dense Cell Design For Low R_DS(ON)

R_DS(ON)<53m Ω@V_GS=10V

*Rugged and Reliable

*Simple Drive Requirement

*SOT-23 Package

SOT-23

Applications

*Power Management in Notebook Computer

*Portable Equipment

*Battery Powered System

Maximum Ratings^(T_A^{=25℃ Unless Otherwise Specified)}

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

-20

V_DS

V_GS

±12

-4.2

-3.4

-10

³,(T_A

,(T_A

I_D

1,2

Pulsed Drain Current

I_DM

P_D

Total Power Dissipation(TA=25˚C)

1.38

˚C/W

˚C

Maximum Thermal Resistance Junction-ambient³

Operating Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

-55~+150

T_J,T_stg

Device Marking

WTC2305=2305

WEITRON

http:www.weitron.com.tw

16-May-05

1/6

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