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WTC2302_09

更新时间： 2024-09-30 12:20:07

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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WTC2302_09 数据手册

WTC2302

N-Channel Enhancement

Mode Power MOSFET

DRAIN CURRENT

2.3 AMPERES

DRAIN

P b

Lead(Pb)-Free

DRAIN SOUCE VOLTAGE

20 VOLTAGE

GATE

Features:

SOURCE

*Super High Dense Cell Design For Low R_DS(ON)

R_DS(ON)<60m Ω@V_GS=4.5V

*Rugged and Reliable

*Simple Drive Requirement

*SOT-23 Package

SOT-23

Maximum Ratings^(T_A^{=25℃ Unless Otherwise Specified)}

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

±±

Continuous Drain Current ³

2.3

(T_A

1, 2

Pulsed Drain Current

0.9

I_DM

P_D

°C

Total Power Dissipation (T_A=25

Maximum Junction-ambient³

)

145

°C/W

°C

R_θJA

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55~+150

T_J, T_stg

Device Marking

WTC2302 = N02

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

Rev.B 24-Aug-09

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