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WTC2301

更新时间： 2024-02-24 18:08:36

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描述
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WTC2301 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

WTC2301 数据手册

WTC2301

P-Channel Enhancement

Mode Power MOSFET

DRAIN CURRENT

DRAIN

-2.6 AMPERES

P b

Lead(Pb)-Free

DRAIN SOURCE VOLTAGE

-20 VOLTAGE

GATE

Features:

SOURCE

*Super High Dense Cell Design For Low R_DS(ON)

R_DS(ON)<130mΩ@V_GS=12V

*Rugged and Reliable

*Capable of 2.5V Gate Drive

*Simple Drive Requirement

*SOT-23 Package

SOT-23

Applications

*Power Management in Notebook Computer

*Portable Equipment

*Battery Powered System

Maximum Ratings^(T_A^{=25℃ Unless Otherwise Specified)}

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

±12

-2.6

-2.1

-10

Continuous Drain Current ³

,V_GS@12V(T_A

I_D

1,2

Pulsed Drain Current

I_DM

P_D

Total Power Dissipation(TA=25˚C)

Maximum Junction-ambient³

1.38

˚C/W

˚C

R_θJA

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55~+150

T_J, T_stg

Device Marking

WTC2301=2301

WEITRON

http:www.weitron.com.tw

12-May-05

1/6

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