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WTC1333

更新时间： 2024-02-06 03:51:12

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描述
Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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WTC1333 数据手册

WTC1333

Surface Mount P-Channel

Enhancement Mode MOSFET

DRAIN CURRENT

-550m AMPERES

DRAIN

DRAIN SOURCE VOLTAGE

-20 VOLTAGE

GATE

Features:

*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)

R_DS(ON)<600mΩ@V_GS=-10V

*Simple Gate Drive

SOURCE

*Small package Outline

*Fast Switching Speed

*SOT-23 Package

SOT-23

Description

*Designer with best combination of fast switching

*Low on-resistance

*Cost-effectiveness

Maximum Ratings(T_A=25 C Unless Otherwise Specified)

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

-20

±12

Continuous Drain Current³

,(T_A=25˚C)

,(T_A=70˚C)

-550

-440

I_D

Pulsed Drain Current^1,2

2.5

1.0

I_DM

Total Power Dissipation(T_A=25˚C)

P_D

R_θJA

˚C/W

˚C

Maximum Thermal Resistace Junction-ambient

Operating Junction and Storage Temperature Range

125

- 55~+150

TJ,Tstg

Device Marking

WTC1333=1333

1/6

17-Jun-05

WEITRON

http:www.weitron.com.tw

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