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WSV30U45D

更新时间： 2024-11-22 14:54:23

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3页	286K
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肖特基整流管

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WSV30U45D 数据手册

WSV30U45D,WSAT30U45D,WSCT30U45D-HAF

Planar MOS-Controlled Schottky Barrier Rectifiers

Reverse Voltage - 45 V

Forward Current - 30 A

WSAT30U45D

WSV30U45D

Features

• Low forward voltage

• Low reverse current

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

1.Anode 2.Cathode 3.Anode

TO-263 Plastic Package

1.Anode 2.Cathode 3.Anode

TO-220F Plastic Package

WSCT30U45D

1.Anode 2.Cathode 3.Anode

TO-220FB Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_RRM

Value

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Total Device

Per Diode

Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single

Half-sine-wave Superimposed on Rated Load

Average Forward Rectified Current

I_F(AV)

I_FSM

210

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 50 to + 150

- 55 to + 150

℃

T_stg

Thermal Characteristics

WSV30

U45D

WSAT30

U45D

WSCT30

U45D

Parameter

Symbol

Unit

R_θJC

Typical Thermal Resistance-Junction to Case

2.4

2.3

℃/W

Characteristics at Ta = 25℃

Parameter

Symbol

V_(BR)R

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 200 µA

Forward Voltage

at I_F= 2 A

at I_F= 3 A

at I_F= 5 A

at I_F= 10 A

at I_F= 15 A

0.37

0.39

0.43

0.48

0.55

V_F

0.47

at I_F= 15 A, Tj = 125℃

at I_F= 20 A

0.60

Reverse Current

at V_R= 45 V

I_R

200

µA

Tj = 125℃

at V_R= 45 V,

1 / 3

Dated: 21/01/2021 Rev: 01

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