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WSF512K32-29G2TMA

更新时间： 2024-09-24 20:33:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 997K
描述
Memory Circuit, 512KX32, CMOS, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 4.57 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68

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WSF512K32-29G2TMA 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：QFP包装说明：22.40 X 22.40 MM, 4.57 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68
针数：68Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.66
Is Samacsys：N其他特性：SRAM IS ORGANISED AS 512K X 32
JESD-30 代码：S-CQFP-G68JESD-609代码：e0
长度：22.36 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：32
功能数量：1端子数量：68
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：512KX32
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：QFP
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.57 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：22.36 mmBase Number Matches：1

WSF512K32-29G2TMA 数据手册

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WSF512K32-XXX  
512KX32 SRAM / NOR FLASH MODULE  
FEATURES  
FLASH MEMORY FEATURES  
 Access Times of 25ns (SRAM) and 70, 90ns (FLASH)  
 100,000 Erase/Program Cycles Minimum  
 Packaging  
 Sector Architecture  
• 66 pin, PGA Type, 1.385" square HIP, Hermetic Ceramic  
HIP (Package 402)  
• 8 equal size sectors of 64KBytes each  
• Any combination of sectors can be concurrently erased.  
Also supports full chip erase  
• 68 lead, Hermetic CQFP (G2T), 22.4mm (0.880") square  
(Package 509) 4.57mm (0.180") height. Designed to  
fit JEDEC 68 lead 0.990" CQFJ footprint (Figure 2).  
Package to be developed.  
 5 Volt Programming  
 Embedded Erase and Program Algorithms  
 Hardware Write Protection  
 512Kx32 5V SRAM  
 Page Program Operation and Internal Program Control  
 512Kx32 5V NOR Flash  
Time.  
 Organized as 512Kx32 of SRAM and 512Kx32 of Flash  
* This product is subject to change without notice.  
Memory with common Data Bus  
For Flash programming information and waveforms refer to Flash programming 4M5 Application Note  
AN0037  
 Low Power CMOS  
 Commercial, Industrial and Military Temperature Ranges  
 TTL Compatible Inputs and Outputs  
 Built in Decoupling Caps and Multiple Ground Pins for Low  
Noise Operation  
 Weight - 13 grams typical  
Figure 1 – PIN CONFIGURATION FOR  
WSF512K32-29H2X  
PIN DESCRIPTION  
I/O0-31  
A0-18  
SWE1-4#  
SCS#  
OE#  
Data Inputs/Outputs  
Address Inputs  
SRAM Write Enable  
SRAM Chip Select  
Output Enable  
TOP VIEW  
1
12  
23  
34  
45  
56  
VCC  
Power Supply  
I/O8  
I/O9  
I/O10  
A14  
A16  
A11  
A0  
FWE2#  
SWE2#  
GND  
I/O11  
A10  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
OE#  
I/O24  
I/O25  
I/O26  
A7  
VCC  
SWE4#  
FWE4#  
I/O27  
A4  
I/O31  
I/O30  
I/O29  
I/O28  
A1  
GND  
Ground  
NC  
Not Connected  
Flash Write Enable  
Flash Chip Select  
FWE1-4#  
FCS#  
A12  
BLOCK DIAGRAM  
A9  
A17  
SWE1#  
A13  
A5  
A2  
FWE  
1
#
SWE  
1
#
FWE  
2
#
SWE  
2
#
FWE  
3
#
SWE  
3
#
FWE4# SWE4#  
A15  
FWE1#  
I/O7  
A6  
A3  
OE#  
A0-18  
SCS#  
FCS#  
A18  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
VCC  
FCS#  
SCS#  
I/O3  
A8  
FWE3#  
SWE3#  
GND  
I/O23  
I/O22  
I/O21  
I/O20  
512K x 8 Flash  
512K x 8 Flash  
512K x 8 Flash  
512K x 8 Flash  
I/O6  
I/O16  
I/O17  
I/O18  
512K x 8 SRAM  
512K x 8 SRAM  
512K x 8 SRAM  
512K x 8 SRAM  
I/O5  
I/O4  
I/O19  
I/O0-7  
I/O8-15  
I/O16-23  
I/O24-31  
11  
22  
33  
44  
55  
66  
Microsemi Corporation reserves the right to change products or specifications without notice.  
May 2012 © 2012 Microsemi Corporation. All rights reserved.  
Rev. 11  
1
Microsemi Corporation • (602) 437-1520 • www.microsemi.com  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
WSF512K32-29H2C WEDC

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 		512KX32 SRAM / FLASH MODULE
WSF512K32-29H2C MICROSEMI

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 		Memory Circuit, 512KX32, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-6
WSF512K32-29H2CA WEDC

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