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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.06 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 25 ns |
| 其他特性： | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACK-UP | JESD-30 代码： | R-CDMA-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS512K8-25CM | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078 |
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| WS512K8-25CMA | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078 |
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| WS512K8-25CME | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 25ns, CMOS, CDMA32, |
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| WS512K8-25CMEA | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 25ns, CMOS, CDMA32, |
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| WS512K8-25CQ | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078 |
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| WS512K8-25CQA | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078 |
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| WS512K8-25CQE | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 25ns, CMOS, CDMA32, |
|
| WS512K8-25HC | WEDC |
获取价格 |
Memory IC, |
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| WS512K8-25IA | MICROSEMI |
获取价格 |
SRAM |
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| WS512K8-25M | MICROSEMI |
获取价格 |
SRAM |
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