是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 23.90 X 23.90 MM, 4.06 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.28 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 17 ns | 其他特性: | IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 2M X 8 |
备用内存宽度: | 16 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CQFP-G68 | 长度: | 23.88 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 68 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP68,.99SQ,50 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.06 mm |
最大待机电流: | 0.028 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.66 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 23.88 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
WS512K32-17G1UIA | WEDC | SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, 23.90 X 23.90 MM, 3.57 MM HEIGHT, HERMETIC SEALE |
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WS512K32-17G1UMA | WEDC | SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, 23.90 X 23.90 MM, 3.57 MM HEIGHT, HERMETIC SEALE |
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WS512K32-17G1UQ | WEDC | SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, 23.90 X 23.90 MM, 3.57 MM HEIGHT, HERMETIC SEALE |
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WS512K32-17G2CA | WEDC | SRAM Module, 2MX8, 17ns, CMOS, CQFP68, |
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WS512K32-17G2I | ETC | x32 SRAM Module |
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WS512K32-17G2LCA | MERCURY | SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 5.08 MM HEIGHT, HERMETIC SEALE |
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