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WS128K8-100CI

更新时间: 2024-01-06 21:34:34
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 304K
描述
SRAM Module, 128KX8, 100ns, Hybrid, CDIP32,

WS128K8-100CI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
最长访问时间:100 ns其他特性:BATTERY BACK-UP
JESD-30 代码:R-CDIP-T32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

WS128K8-100CI 数据手册

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