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WPR60N600

更新时间： 2024-09-17 14:55:11

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
7页	1360K
描述
功率金氧半电晶体

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WPR60N600 数据手册

WPR60N600-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low Gate Charge

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-252 Plastic Package

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

600

Unit

R_DS(ON)Max

V_GS(th)typ

Q_gtyp

600 @ V_GS= 10 V

3.5

mΩ

11 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

600

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 30

T_c= 25℃

T_c= 100℃

5.2

3.2

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

I_AS

1.4

Avalanche Current

Single-Pulsed Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

℃

E_AS

P_D

41.6

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

R_θJA

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25℃, L = 79 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 1.4 A, V_GS= 10 V.

³⁾Device Surface Mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, in a still air.

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Dated: 16/12/2022 Rev: 01

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