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WPAT65N400

更新时间： 2025-07-18 18:28:59

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先科 - SWST		/
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7页	647K
描述
Power MOSFET

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WPAT65N400 数据手册

WPAT65N400-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low R_DS(on)

• Low Gate Charge

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

Application

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-220F Plastic Package

• DC-DC converters

• Lighting

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

650

400 @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)Max

V_GS(th)typ

Q_gtyp

mΩ

20.4 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

650

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±30

T_c= 25℃

Drain Current

I_D

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

2.8

Single Pulsed Avalanche Energy ²⁾

E_AS

309.6

℃

Total Power Dissipation

P_tot

69.4

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

1.8

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25°C, L = 79 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 2.8 A, V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

1 / 7

Dated: 15/03/2024 Rev: 01

12 3 4 5 6 7

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