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WMS512K8-85CME

更新时间: 2024-02-25 09:37:38
品牌 Logo 应用领域
玛居礼 - MERCURY 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 119K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

WMS512K8-85CME 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
包装说明:0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.62Is Samacsys:N
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T32
JESD-609代码:e4长度:42.4 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.1 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:GOLD
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

WMS512K8-85CME 数据手册

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