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WME128K8-150DEIE

更新时间： 2024-09-25 14:20:07

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	252K
描述
EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-32

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WME128K8-150DEIE 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.12
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	WRITE ENDURANCE 10000 CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-CDSO-J32	JESD-609代码：	e4
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.96 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Gold (Au)	端子形式：	J BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.23 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WME128K8-150DEIEA	WEDC	获取价格	暂无描述
WME128K8-150DEM	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-150DEMA	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-150DEMA	MERCURY	获取价格	EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDSO32, SOJ-32
WME128K8-150DEME	MICROSEMI	获取价格	EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-3
WME128K8-150DEQ	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-150DEQA	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-200CC	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-200CCA	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-200CI	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796