Datasheet > WME128K8-140DEIA

WME128K8-140DEIA

更新时间： 2024-11-13 20:12:43

品牌	Logo	应用领域
玛居礼 - MERCURY		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	817K
描述
EEPROM, 128KX8, 140ns, Parallel, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

WME128K8-140DEIA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SOJ,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.71	最长访问时间：	140 ns
其他特性：	WRITE ENDURANCE 10000 CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CDSO-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	21.1 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.96 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

WME128K8-140DEIA 数据手册

WME128K8-XXX

128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796

FEATURES

 Read Access Times of 125, 140, 150, 200, 250, 300ns

 Page Write Cycle Time 10ms Max.

 JEDEC Approved Packages

 Data Polling for End of Write Detection

 Hardware and Software Data Protection

 TTL Compatible Inputs and Outputs

• 32 pin, Hermetic Ceramic, 0.600" DIP

(Package 300)

• 32 lead, Hermetic Ceramic, 0.400" SOJ

(Package 101)

This product is subject to change without notice.

 Commercial, Industrial and Military Temperature Ranges

 MIL-STD-883 Compliant Devices Available

 Write Endurance 10,000 Cycles

 Data Retention at 25°C, 10 Years

 Low Power CMOS Operation

 Automatic Page Write Operation

• Internal Address and Data Latches for 128 Bytes

• Internal Control Timer

FIGURE 1 – PIN CONFIGURATION

PIN DESCRIPTION

A0-16

I/O0-7

CS#

OE#

WE#

V_CC

Address Inputs

Data Input/Output

Chip Selects

Output Enable

Write Enable

+5.0v Power

Ground

32 DIP

32 CSOJ

TOP VIEW

A16

A15

A12

VCC

V_SS

31 WE#

30 NC

29 A14

28 A13

27 A8

26 A9

25 A11

24 OE#

23 A10

22 CS#

21 I/O7

20 I/O6

19 I/O5

18 I/O4

17 I/O3

I/O0

I/O1

I/O2

V^SS

Microsemi Corporation reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

Rev. 8

Microsemi Corporation • (602) 437-1520 • www.microsemi.com/pmgp

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与WME128K8-140DEIA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WME128K8-140DEM	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-140DEMA	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-140DEQ	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-140DEQA	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-150CC	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-150CCA	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-150CCEA	WEDC	获取价格	暂无描述
WME128K8-150CI	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-150CIA	WEDC	获取价格	128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796
WME128K8-150CIE	WEDC	获取价格	EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED,

与WME128K8-140DEIA相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

26
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

WME128K8-140DEIA

WME128K8-140DEIA 技术参数

WME128K8-140DEIA 数据手册

与WME128K8-140DEIA相关器件

与WME128K8-140DEIA相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

WME128K8-140DEIA

WME128K8-140DEIA 技术参数

WME128K8-140DEIA 数据手册

与WME128K8-140DEIA相关器件

与WME128K8-140DEIA相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？