是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 80 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDSO-G24 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 4 | 端子数量: | 24 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 4MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP24/26,.36 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 2048 |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.11 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
WMDE4M4-80F1M | WEDC | EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, CDSO24, |
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WMDE4M4-80F2C | WEDC | EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, CDSO24, |
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WMDE4M4-80FBC | WEDC | EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, CDFP24, |
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WMDE4M4V-100F1C | WEDC | EDO DRAM, 4MX4, 100ns, CMOS, CDSO24, |
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WMDE4M4V-100F1I | WEDC | EDO DRAM, 4MX4, 100ns, CMOS, CDSO24, |
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WMDE4M4V-100F1M | WEDC | EDO DRAM, 4MX4, 100ns, CMOS, CDSO24, |
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