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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-MXDB-D2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.002 mA | JESD-30 代码： | O-MXDB-D2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 855 A | 断态重复峰值电压： | 2700 V |
| 重复峰值反向电压： | 18 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG8026S30 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG8026S32 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG8026S34 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG8026S36 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3100V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG8028S | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|TO-200AC |
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| WG8030S | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|TO-200AC |
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| WG8030S16 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 3000V V(DRM), 16V V(RRM), 1 Element |
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| WG8032S | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|TO-200AC |
|
| WG8032S16 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3200 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG8034S | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|TO-200AC |
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