5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-MXDB-D2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1500A |
| 标称电路换相断开时间： | 130 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 4000 mA | JESD-30 代码： | O-MXDB-D2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1995 A | 断态重复峰值电压： | 2500 V |
| 重复峰值反向电压： | 2000 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG15025R24 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1995 A, 2500 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG15025SP08 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2290A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG15025SP12 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2290A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG15025SP14 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2290A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG15025SP18 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2290 A, 2300 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG15025SP20 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2290A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG15025SP22 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1730A I(T)RMS, 2600V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG15025SP24 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1730A I(T)RMS, 2700V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG15026R | IXYS |
获取价格 |
Symmetrical GTO SCR, 1580A I(T)RMS, 800000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element |
|
| WG15026R02 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1580 A, 2600 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
