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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | CAN BE CONFIGURED AS 8M X 8 | 备用内存宽度： | 16 |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | S-CPGA-P66 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 30.1 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | FLASH MODULE |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 32 | 端子数量： | 66 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2MX32 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | PGA |
| 封装等效代码： | PGA66,11X11 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 6.22 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.008 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.24 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 30.1 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| WF2M32-120HI5A | WEDC | 2Mx32 5V Flash Module |
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| WF2M32-120HI5A | MERCURY | Flash Module, 2MX32, 120ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
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| WF2M32-120HM5 | WEDC | 2Mx32 5V Flash Module |
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| WF2M32-120HM5A | WEDC | 2Mx32 5V Flash Module |
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| WF2M32-120HQ5 | WEDC | 2Mx32 5V Flash Module |
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| WF2M32-120HQ5A | WEDC | 2Mx32 5V Flash Module |
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