是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | PGA, PGA66,11X11 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.74 | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | USER CONFIGURABLE 1M X 32; 1000000 ERASE/PROGRAM CYCLES; MINIMUM 20 YEARS DATA RETENTION | 启动块: | BOTTOM |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 20 |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 30.1 mm | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | FLASH MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,15 |
端子数量: | 66 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX32 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA66,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 编程电压: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 6.22 mm |
部门规模: | 4K,2K,8K,16K | 最大待机电流: | 0.0002 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 30.1 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WF1M32B-120HI3A | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module | |
WF1M32B-120HI5 | ETC |
获取价格 |
x32 Flash EEPROM Module | |
WF1M32B-120HI5A | WEDC |
获取价格 |
Flash Module, 1MX32, 120ns, CPGA66, | |
WF1M32B-120HM3 | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module | |
WF1M32B-120HM3A | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module | |
WF1M32B-120HM5 | ETC |
获取价格 |
x32 Flash EEPROM Module | |
WF1M32B-120HM5A | WEDC |
获取价格 |
Flash Module, 1MX32, 120ns, CPGA66, | |
WF1M32B-150G2TC3 | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module | |
WF1M32B-150G2TC3A | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module | |
WF1M32B-150G2TI3 | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |