2N5551A-G

更新时间： 2024-02-28 05:54:28

品牌	Logo	应用领域
WEITRON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	167K
描述
Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5551A-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.99	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551A-G 数据手册

2N5551

NPN Transistors

TO-92

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(Ta=25 C)

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base VOltage

Collector Current

Symbol

Unit

Vdc

mAdc

2N5551

160

180

6.0

600

CEO

CBO

EBO

Total Device Dissipation T =25 C

0.625

150

Junction Temperature

Storage, Temperature

Tstg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min

Max

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = 1.0 mAdc, I =0)

160

Vdc

(BR)CEO

180

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage (I = 100 uAdc, I =0)

(BR)CBO

Emitter-Base Breakdown Voltage (I = 10 uAdc, I =0)

(BR)EBO

6.0

uAdc

0.05

Collector Cutoff Current (V =120 Vdc, I =0)

CBO

Emitter Cutoff Current (V = 4.0 V c, I =0)

EBO

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

12 3 4

下载PDF

与2N5551A-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5551AL1	ONSEMI	2N5551AL1	获取价格
2N5551-AMMO	NXP	TRANSISTOR 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Sma	获取价格
2N5551-AP-HF	MCC	Small Signal Bipolar Transistor,	获取价格
2N5551APM	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N5551APMLEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N5551APP	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格