是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | QCCJ, QFP68,.99SQ,50 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.45 | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | USER CONFIGURABLE AS 4MX8 | 备用内存宽度: | 16 |
启动块: | BOTTOM | 数据保留时间-最小值: | 20 |
JESD-30 代码: | S-CQCC-J68 | 长度: | 22.36 mm |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | FLASH MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 1,2,1,15 | 端子数量: | 68 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | QFP68,.99SQ,50 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 编程电压: | 5 V |
座面最大高度: | 3.56 mm | 部门规模: | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流: | 0.00002 A | 最大压摆率: | 0.2 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 22.36 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WEDF1M32B-90G2UM5A | MERCURY |
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Flash Module, | |
WEDF1M32B-90H1C5A | MERCURY |
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Flash Module, | |
WEDF1M32B-90H1C5A | WEDC |
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Flash Module, 1MX32, 90ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | |
WEDF1M32B-90H1I5A | MERCURY |
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Flash Module, | |
WEDF1M32B-90H1I5A | WEDC |
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Flash Module, 1MX32, 90ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | |
WEDF1M32B-90H1M5A | MERCURY |
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Flash Module, | |
WEDF1M32B-90HC5 | WEDC |
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Flash Module, 1MX32, 90ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | |
WEDF1M32B-90HI5A | WEDC |
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Flash Module, 1MX32, 90ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | |
WEDF1M32B-90HM5 | WEDC |
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Flash Module, 1MX32, 90ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | |
WEDF1M32B-G2TC5 | WEDC |
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1Mx32 5V Flash Module |