5秒后页面跳转
5962-9669103HXX PDF预览

5962-9669103HXX

更新时间: 2024-01-05 02:14:58
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 107K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36

5962-9669103HXX 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CERAMIC, FP-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.64最长访问时间:100 ns
其他特性:2V DATA RETENTION DEVICE AVAILABLE (LOW POWER VERSION)JESD-30 代码:R-CDFP-F32
长度:20.83 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.18 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.41 mmBase Number Matches:1

5962-9669103HXX 数据手册

 浏览型号5962-9669103HXX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5962-9669103HXX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5962-9669103HXX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5962-9669103HXX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5962-9669103HXX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962-9669103HXX的Datasheet PDF文件第7页 
WMS128K8-XXX  
HI-RELIABILITY PRODUCT  
128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96691 (pending)  
FEATURES  
Commercial, Industrial and Military Temperature Range  
5 Volt Power Supply  
Access Times 70, 85, 100, 120ns  
Revolutionary, Center Power/Ground Pinout  
JEDEC Approved  
• 32 lead Ceramic SOJ (Package 101)  
Low Power CMOS  
2V Data Retention Devices Available  
Evolutionary, Corner Power/Ground Pinout  
(Low Power Version)  
JEDEC Approved  
TTL Compatible Inputs and Outputs  
• 32 pin Ceramic DIP (Package 300)  
• 32 lead Ceramic SOJ (Package 101)  
• 32 lead Ceramic Flat Pack (Package 206)  
MIL-STD-883 Compliant Devices Available  
REVOLUTIONARY PINOUT  
EVOLUTIONARY PINOUT  
32 DIP  
32 CSOJ (DE)  
32 FLATPACK (FE)  
32 CSOJ (DR)  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
A0  
A1  
1
32 A16  
31 A15  
30 A14  
29 A13  
28 OE  
27 I/O8  
26 I/O7  
25 GND  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
1
32  
VCC  
2
2
31 A15  
30 NC/CS2*  
29 WE  
28 A13  
27 A8  
A2  
3
3
A3  
4
4
CS  
5
5
I/O1  
I/O2  
6
A6  
6
7
A5  
7
26 A9  
VCC  
8
A4  
8
25 A11  
24 OE  
23 A10  
22 CS  
GND  
I/O3  
I/O4  
WE  
A4  
9
24  
VCC  
A3  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
23 I/O6  
22 I/O5  
21 A12  
20 A11  
19 A10  
18 A9  
A2  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A1  
A0  
21 I/O7  
20 I/O6  
19 I/O5  
18 I/O4  
17 I/O3  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
GND  
A5  
A6  
A7  
17 A8  
* NC for single chip select devices  
CS2 for dual chip select devices  
PIN DESCRIPTION  
A0-16  
I/O 0-7  
CS  
Address Inputs  
DataInput/Output  
ChipSelect  
OutputEnable  
WriteEnable  
+5.0VPower  
Ground  
OE  
WE  
VCC  
GND  
February 2000 Rev. 2  
1
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com  

与5962-9669103HXX相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
5962-9669103HYA ETC x8 SRAM

获取价格

5962-9669103HYC ETC x8 SRAM

获取价格

5962-9669104HNC WEDC Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, FP-32

获取价格

5962-9669104HTA ETC x8 SRAM

获取价格

5962-9669104HTC ETC x8 SRAM

获取价格

5962-9669104HTX WEDC Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32

获取价格