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WDCT10N040LS-CH

更新时间： 2024-11-22 14:54:23

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先科 - SWST		晶体
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7页	610K
描述
功率金氧半电晶体

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WDCT10N040LS-CH 数据手册

WDCT10N040LS-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Low R_{DS( ON )}

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Low Miller Capacitance

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-220FB Plastic Package

Source

Application

• BLDC Motor drive applications

• Battery powered circuits

• Synchronous rectifier applications

• Resonant mode power supplies

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

100

Unit

4.8 @ V_GS= 10 V

6.3 @ V_GS= 4.5 V

1.7

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

75 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

I_D

Continuous Drain Current 

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

480

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

144

℃

P_D

61.9

Power Dissipation

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.5 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 24 A, V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

1 / 7

Dated: 29/09/2022 Rev: 01

12 3 4 5 6 7

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