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WDAT06N022L

更新时间: 2024-11-06 14:56:03
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先科 - SWST 晶体
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8页 554K
描述
功率金氧半电晶体

WDAT06N022L 数据手册

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WDAT06N022L-HAF  
N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Drain  
Features  
• Low Switching charge  
• Low Miller Capacitance  
• Halogen and Antimony Free(HAF),  
RoHS compliant  
Gate  
1.Gate 2.Drain 3.Source  
TO-220F Plastic Package  
Source  
Applications  
• Battery powered circuits  
• Synchronous rectifier applications  
Key Parameters  
Parameter  
BVDSS  
Value  
60  
Unit  
V
3 @ VGS = 10 V  
3.6 @ VGS = 4.5 V  
1.5  
RDS(ON) Max  
mΩ  
VGS(th) typ  
Qg typ  
V
91 @ VGS = 10 V  
nC  
Absolute Maximum Ratings (at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
± 20  
75  
47  
V
Tc = 25℃  
Tc = 100℃  
Drain Current  
ID  
A
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
Avalanche Current  
IDM  
IAS  
500  
58.1  
A
A
Single Pulsed Avalanche Energy 2)  
EAS  
168.7  
mJ  
W
Power Dissipation  
PD  
26.7  
Tc = 25℃  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJC  
Max.  
4.6  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Case  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX) = 150°C.  
2) Limited by TJ(MAX), starting TJ = 25 °C, L = 0.1 mH, Rg = 25 Ω, ID = 58.1 A, VGS = 10 V.  
/W  
/W  
RθJA  
45  
®
1 / 8  
Dated: 19/08/2021 Rev: 01  

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