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W9464G6IH-6

更新时间： 2024-02-01 08:47:27

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华邦 - WINBOND		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
54页	827K
描述
DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

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W9464G6IH-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.17	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.02 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

W9464G6IH-6 数据手册

W9464G6IH

1M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM

Table of Contents-

GENERAL DESCRIPTION ......................................................................................................... 4

FEATURES................................................................................................................................. 4

KEY PARAMETERS ................................................................................................................... 5

PIN CONFIGURATION............................................................................................................... 6

PIN DESCRIPTION..................................................................................................................... 7

BLOCK DIAGRAM ...................................................................................................................... 8

FUNCTIONAL DESCRIPTION.................................................................................................... 9

7.1

7.2

Power Up Sequence....................................................................................................... 9

Command Function ...................................................................................................... 10

7.2.1

Bank Activate Command........................................................................................10

Bank Precharge Command ....................................................................................10

Precharge All Command ........................................................................................10

Write Command......................................................................................................10

Write with Auto-precharge Command.....................................................................10

Read Command .....................................................................................................10

Read with Auto-precharge Command ....................................................................10

Mode Register Set Command ................................................................................11

Extended Mode Register Set Command ................................................................11

No-Operation Command ........................................................................................11

Burst Read Stop Command....................................................................................11

Device Deselect Command ....................................................................................11

Auto Refresh Command.........................................................................................11

Self Refresh Entry Command.................................................................................12

Self Refresh Exit Command ...................................................................................12

Data Write Enable /Disable Command...................................................................12

7.2.2

7.2.3

7.2.4

7.2.5

7.2.6

7.2.7

7.2.8

7.2.9

7.2.10

7.2.11

7.2.12

7.2.13

7.2.14

7.2.15

7.2.16

7.3

7.4

7.5

7.6

7.7

7.8

7.9

Read Operation............................................................................................................. 12

Write Operation............................................................................................................. 13

Precharge ..................................................................................................................... 13

Burst Termination.......................................................................................................... 13

Refresh Operation......................................................................................................... 13

Power Down Mode ....................................................................................................... 14

Input Clock Frequency Change during Precharge Power Down Mode........................ 14

7.10 Mode Register Operation.............................................................................................. 14

7.10.1

Burst Length field (A2 to A0)...................................................................................14

Publication Release Date:Mar. 17, 2010

- 1 -

Revision A04

12 3 4 5 6 7...54

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与W9464G6IH-6相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
W9464G6IH-6I	WINBOND	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	获取价格
W9464G6JH	WINBOND	1M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM	获取价格
W9464G6JH-4	WINBOND	DDR DRAM, 4MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	获取价格
W9464G6JH-5	WINBOND	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	获取价格
W9464G6JH-5I	WINBOND	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	获取价格
W9464G6KH-4	WINBOND	DDR DRAM, 4MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	获取价格

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