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W8400ED320

更新时间： 2024-11-06 14:56:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		驱动二极管驱动器
页数	文件大小	规格书
4页	371K
描述
我们种类繁多的整流器二极管可提供一流的性能和可靠性。可提供阻断电压在200V至7.2kV之间的器件。这些器件经过优化，具有较低的传导损耗，非常适合不超过400Hz的线路频率应用，包括变速驱动器

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W8400ED320 数据手册

Date:- 27^thSept, 2018

Data Sheet Issue: - P2

Rectifier Diode

Types W8400ED320 and W8400ED350

Development part number Wx586ED320-350

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

VOLTAGE RATINGS

UNITS

LIMITS

3200-3500

3300-3600

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_F(AV)M

Maximum average forward current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 3)

8400

5870

3650

I_F(RMS)MNominal RMS forward current, T_sink=25°C, (note 2)

15400

13640

I_F(d.c.)

I_FSM

I_FSM2

I²t

D.C. forward current, T_sink=25°C, (note 4)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm£10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm£10V, (note 5)

Operating temperature range

kA²s

°C

91.3

34.4

I²t

41.7

T_{j op}

T_stg

-40 to +160

-55 to +160

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 160°C T_jinitial.

Provisional Data Sheet. Types W8400ED320 and W8400ED350 Issue P2

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September 2018

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W8400ED350	LITTELFUSE	获取价格	我们种类繁多的整流器二极管可提供一流的性能和可靠性。可提供阻断电压在200V至7.2kV
W8405ZC100	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8405A, 1000V V(RRM), Silicon,
W8405ZC140	LITTELFUSE	获取价格	DIODE 8410 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
W8405ZD100	LITTELFUSE	获取价格	DIODE 8410 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
W8405ZD140	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8405A, 1400V V(RRM), Silicon,
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