W4501DW

更新时间： 2024-11-07 03:17:43

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WEITRON		晶体晶体管
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描述
Epitaxial Planer Transistor Silicon NPN

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W4501DW 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

W4501DW 数据手册

W4501DW

Epitaxial Planer Transistor Silicon NPN

P b

Lead(Pb)-Free

SOT-363(SC-88)

Features:

* Both 2SC2412K Chip x 2 in a SOT-363

NPN+NPN

Maximum Ratings

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

CEO

CBO

Emitter-Base Voltage

EBO

Vdc

Collector Current-Continuous

mAdc

150

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

(1)

Total Device Dissipation TA=25˚C

˚C/W

˚C

380

328

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage,Temperature

J,Tstg

-55 to +150

Device Marking

W4501DW=5H

(TA=25 C Unless Otherwise noted)

Electrical Characteristics

Characteristics

Symbol

Unit

Min

Max

Off Characteristics

(2)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I =1.0mAdc,IB=0)

V(BR)CEO

V(BR)CBO

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage (IC=50 uAdc, IE=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage (IE=50 uAdc, IC=0)

Vdc

V(BR)EBO

IEBO

7.0

0.1

Emitter Cutoff Current (VEB =7.0Vdc)

µAdc

Collector Cutoff Current (VCB=60Vdc)

ICBO

1. Device Mounted FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimun recommended footprint.

2. Pulse Test:Pulse Width 300uS, Duty Cycle 2.0%

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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30-Nov-05

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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