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| 生命周期： | Active | 包装说明： | BGA, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.63 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.65 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B208 |
| 长度： | 20.1 mm | 内存密度： | 2415919104 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 72 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 208 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32MX72 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 座面最大高度： | 2.33 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 16.1 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| W3H32M72E-533BIF | MERCURY |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX72, 0.65ns, CMOS, PBGA208, 16 X 20 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, PLATSIC, BGA-2 |
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| W3H32M72E-533BM | MERCURY |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX72, 0.65ns, CMOS, PBGA208, 16 X 20 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208 |
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| W3H32M72E-533ES | WEDC |
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32M x 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA Multi-Chip Package |
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| W3H32M72E-533ESC | WEDC |
获取价格 |
32M x 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA Multi-Chip Package |
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| W3H32M72E-533ESI | WEDC |
获取价格 |
32M x 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA Multi-Chip Package |
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| W3H32M72E-533ESM | WEDC |
获取价格 |
32M x 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA Multi-Chip Package |
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| W3H32M72E-533SB | WEDC |
获取价格 |
32M x 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA Multi-Chip Package |
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| W3H32M72E-533SB2C | MICROSEMI |
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DDR DRAM, 32MX72, 0.6ns, CMOS, PBGA208, 16 X 20 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208 |
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| W3H32M72E-533SB2CF | MICROSEMI |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX72, 0.6ns, CMOS, PBGA208, 16 X 20 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-20 |
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| W3H32M72E-533SB2I | MICROSEMI |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX72, 0.6ns, CMOS, PBGA208, 16 X 20 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208 |
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