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Datasheet > 存储 > 闪存> W39L040AQ90B
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W39L040AQ90B

更新时间： 2024-11-24 03:17:51
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
26页 299K
描述
512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY

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W39L040AQ90B 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：8 X 14 MM, STSOP-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.67Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns启动块：BOTTOM/TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：12.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：8端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP32,.56,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：4K words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

W39L040AQ90B 数据手册

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W39L040A Data Sheet  
512K × 8 CMOS FLASH MEMORY  
Table of Contents-  
1.  
2.  
3.  
4.  
5.  
6.  
GENERAL DESCRIPTION ......................................................................................................... 3  
FEATURES................................................................................................................................. 3  
PIN CONFIGURATIONS ............................................................................................................ 4  
BLOCK DIAGRAM ...................................................................................................................... 4  
PIN DESCRIPTION..................................................................................................................... 4  
FUNCTIONAL DESCRIPTION ................................................................................................... 5  
6.1  
Device Bus Operation..................................................................................................... 5  
6.1.1 Read Mode.......................................................................................................................5  
6.1.2 Write Mode.......................................................................................................................5  
6.1.3 Standby Mode ..................................................................................................................5  
6.1.4 Output Disable Mode........................................................................................................5  
6.1.5 Auto-select Mode..............................................................................................................5  
6.2  
6.3  
Data Protection............................................................................................................... 6  
6.2.1 Low VDD Inhibit................................................................................................................6  
6.2.2 Write Pulse "Glitch" Protection .........................................................................................6  
6.2.3 Logical Inhibit ...................................................................................................................6  
6.2.4 Power-up Write and Read Inhibit......................................................................................6  
Command Definitions ..................................................................................................... 6  
6.3.1 Read Command ...............................................................................................................6  
6.3.2 Auto-select Command......................................................................................................7  
6.3.3 Byte Program Command..................................................................................................7  
6.3.4 Chip Erase Command ......................................................................................................7  
6.3.5 Sector Erase Command ...................................................................................................8  
6.4  
6.5  
Write Operation Status ................................................................................................... 8  
6.4.1 DQ7: #Data Polling...........................................................................................................8  
6.4.2 DQ6: Toggle Bit................................................................................................................9  
Table of Operating Modes .............................................................................................. 9  
6.5.1 Device Bus Operations.....................................................................................................9  
6.5.2 Auto-select Codes (High Voltage Method) .......................................................................9  
6.5.3 Sector Address Table.....................................................................................................10  
6.5.4 Command Definitions .....................................................................................................10  
6.6  
6.7  
Embedded Programming Algorithm ............................................................................. 11  
Embedded Erase Algorithm.......................................................................................... 12  
Publication Release Date:April 14, 2005  
- 1 -  
Revision A3  
1234567...26

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
W39L040AT70B WINBOND

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 		Flash, 512KX8, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
W39L040P-90 WINBOND

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 		512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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