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W39L040AP90Z

更新时间： 2024-11-24 03:17:51

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华邦 - WINBOND		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	299K
描述
512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY

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W39L040AP90Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e3	长度：	13.97 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	8	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	页面大小：	4K words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	245
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

W39L040AP90Z 数据手册

W39L040A Data Sheet

512K × 8 CMOS FLASH MEMORY

Table of Contents-

GENERAL DESCRIPTION ......................................................................................................... 3

FEATURES................................................................................................................................. 3

PIN CONFIGURATIONS ............................................................................................................ 4

BLOCK DIAGRAM ...................................................................................................................... 4

PIN DESCRIPTION..................................................................................................................... 4

FUNCTIONAL DESCRIPTION ................................................................................................... 5

6.1

Device Bus Operation..................................................................................................... 5

6.1.1 Read Mode.......................................................................................................................5

6.1.2 Write Mode.......................................................................................................................5

6.1.3 Standby Mode ..................................................................................................................5

6.1.4 Output Disable Mode........................................................................................................5

6.1.5 Auto-select Mode..............................................................................................................5

6.2

6.3

Data Protection............................................................................................................... 6

6.2.1 Low VDD Inhibit................................................................................................................6

6.2.2 Write Pulse "Glitch" Protection .........................................................................................6

6.2.3 Logical Inhibit ...................................................................................................................6

6.2.4 Power-up Write and Read Inhibit......................................................................................6

Command Definitions ..................................................................................................... 6

6.3.1 Read Command ...............................................................................................................6

6.3.2 Auto-select Command......................................................................................................7

6.3.3 Byte Program Command..................................................................................................7

6.3.4 Chip Erase Command ......................................................................................................7

6.3.5 Sector Erase Command ...................................................................................................8

6.4

6.5

Write Operation Status ................................................................................................... 8

6.4.1 DQ7: #Data Polling...........................................................................................................8

6.4.2 DQ6: Toggle Bit................................................................................................................9

Table of Operating Modes .............................................................................................. 9

6.5.1 Device Bus Operations.....................................................................................................9

6.5.2 Auto-select Codes (High Voltage Method) .......................................................................9

6.5.3 Sector Address Table.....................................................................................................10

6.5.4 Command Definitions .....................................................................................................10

6.6

6.7

Embedded Programming Algorithm ............................................................................. 11

Embedded Erase Algorithm.......................................................................................... 12

Publication Release Date:April 14, 2005

- 1 -

Revision A3

12 3 4 5 6 7...26

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