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W39L020Q-90B

更新时间： 2024-11-05 22:10:51

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
19页	239K
描述
128K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W39L020Q-90B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.56,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	12.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	4	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.56,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	4K words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	编程电压：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

W39L020Q-90B 数据手册

W29EE012

´ 8 CMOS FLASH MEMORY

128K

GENERAL DESCRIPTION

The W29EE012 is a 1-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 128K ´ 8 bits. The

device can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt VPP is

not required. The unique cell architecture of the W29EE012 results in fast program/erase operations

with extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory products).

The device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt program and erase operations

· Fast page-write operations

· Low power consumption

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- 128 bytes per page

- Page program cycle: 10 mS (max.)

- Effective byte-program cycle time: 39 mS

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Page program/erase cycles: 1,000

· Ten-year data retention

· Automatic program timing with internal VPP

generation

· End of program detection

- Toggle bit

- Data polling

· Latched address and data

· TTL compatible I/O

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Software and hardware data protection

Publication Release Date: March 26, 2002

- 1 -

Revision A3

12 3 4 5 6 7...19

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与W39L020Q-90B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W39L020Q-90Z	WINBOND	获取价格	Flash, 256KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 14 MM, LEAD FREE, STSOP-32
W39L020T-70	WINBOND	获取价格	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L020T-70B	WINBOND	获取价格	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L020T-90	WINBOND	获取价格	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L020T-90B	WINBOND	获取价格	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040	WINBOND	获取价格	512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040A	WINBOND	获取价格	512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040A70B	WINBOND	获取价格	512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY
W39L040A90B	WINBOND	获取价格	512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY
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