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Datasheet > 存储 > 闪存> W39L010Q-90
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W39L010Q-90

更新时间： 2024-11-05 22:08:47
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
27页 721K
描述
128K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W39L010Q-90 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSSOP, TSSOP32,.56,20
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.87最长访问时间：90 ns
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：12.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：32
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP32,.56,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V编程电压：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：4K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

W39L010Q-90 数据手册

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W39L010  
128K × 8 CMOS FLASH MEMORY  
Table of Contents-  
1.  
2.  
3.  
4.  
5.  
6.  
GENERAL DESCRIPTION ......................................................................................................... 3  
FEATURES................................................................................................................................. 3  
PIN CONFIGURATIONS ............................................................................................................ 4  
BLOCK DIAGRAM ...................................................................................................................... 4  
PIN DESCRIPTION..................................................................................................................... 4  
FUNCTIONAL DESCRIPTION ................................................................................................... 5  
6.1  
Device Bus Operation..................................................................................................... 5  
6.1.1 Read Mode.......................................................................................................................5  
6.1.2 Write Mode.......................................................................................................................5  
6.1.3 Standby Mode ..................................................................................................................5  
6.1.4 Output Disable Mode........................................................................................................5  
6.1.5 Auto-select Mode..............................................................................................................5  
6.2  
6.3  
Data Protection............................................................................................................... 6  
6.2.1 Boot Block Operation........................................................................................................6  
6.2.2 Write Pulse "Glitch" Protection .........................................................................................6  
6.2.3 Logical Inhibit ...................................................................................................................6  
6.2.4 Power-up Write Inhibit ......................................................................................................6  
Command Definitions ..................................................................................................... 7  
6.3.1 Read Command ...............................................................................................................7  
6.3.2 Auto-select Command......................................................................................................7  
6.3.3 Byte Program Command..................................................................................................7  
6.3.4 Chip Erase Command ......................................................................................................8  
6.3.5 Page Erase Command .....................................................................................................8  
6.4  
Write Operation Status ................................................................................................... 9  
6.4.1 DQ7: Data Polling.............................................................................................................9  
6.4.2 DQ6: Toggle Bit................................................................................................................9  
7.  
TABLE OF OPERATING MODES ............................................................................................ 10  
7.1  
7.2  
7.3  
7.4  
7.5  
7.6  
7.7  
Device Bus Operations................................................................................................. 10  
Auto-select Codes (High Voltage Method)................................................................... 10  
Command Definitions ................................................................................................... 11  
Embedded Programming Algorithm ............................................................................. 12  
Embedded Erase Algorithm.......................................................................................... 13  
Embedded #Data Polling Algorithm.............................................................................. 14  
Embedded Toggle Bit Algorithm................................................................................... 14  
Publication Release Date: January 9, 2004  
- 1 -  
Revision A4  
1234567...27

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
W39L010Q-90B WINBOND

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 		128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
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 		Flash, 256KX8, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
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