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W39F010-70

更新时间： 2024-11-06 19:20:15

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华邦 - WINBOND		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	327K
描述
Flash, 128KX8, 70ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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W39F010-70 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP32,.6	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.69
最长访问时间：	70 ns	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	1000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
JESD-609代码：	e3	长度：	41.91 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	32	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.33 mm
部门规模：	4K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

W39F010-70 数据手册

W39F010

´ 8 CMOS FLASH MEMORY

128K

1. GENERAL DESCRIPTION

The W39F010 is a 1Mbit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 128K ´ 8 bits. For flexible erase

capability, the 1Mbits of data are divided into 32 small even pages with 4 Kbytes. The byte-wide (´ 8)

data appears on DQ7 - DQ0. The device can be programmed and erased in-system with a standard

5V power supply. A 12-volt VPP is not required. The unique cell architecture of the W39F010 results in

fast program/erase operations with extremely low current consumption (compared to other comparable

5-volt flash memory products). The device can also be programmed and erased by using standard

EPROM programmers.

2. FEATURES

· Single 5-volt operations

- 5-volt Read

· Flexible 4K-page size can be used as

Parameter Blocks

· Typical program/erase cycles:

- 1K/10K

- 5-volt Erase

- 5-volt Program

· Twenty-year data retention

· Fast Program operation:

- Byte-by-Byte programming: 50 mS (max.)

· Fast Erase operation:

· Low power consumption

- Active current: 15 mA (typ.)

- Standby current: 15 mA (typ.)

- Chip Erase cycle time: 100 mS (max.)

- Page Erase cycle time: 25 mS (max.)

· Read access time: 70/90 nS

· 32 even pages with 4K bytes

· Any individual page can be erased

· Hardware protection:

· End of program detection

- Software method: Toggle bit/Data polling

· TTL compatible I/O

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP,

32-pin PLCC, 32- pin STSOP (8 x 14 mm) and

32- pin TSOP

- Optional 16K byte Top/Bottom Boot Block

with lockout protection

Publication Release Date: June 17, 2002

- 1 -

Revision A2

12 3 4 5 6 7...26

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W39F010-90B	WINBOND	获取价格	128K 】 8 CMOS FLASH MEMORY
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W39F010P-90	WINBOND	获取价格	Flash, 128KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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