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W29GL032CB7S

更新时间: 2024-09-19 08:07:43
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 闪存
页数 文件大小 规格书
66页 1313K
描述
32M-BIT 3.0-VOLT PARALLEL FLASH MEMORY WITH PAGE MODE

W29GL032CB7S 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP-48针数:48
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.78
最长访问时间:70 ns其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e3长度:18.4 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:1功能数量:1
部门数/规模:8,63端子数量:48
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小:8/16 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:8K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.055 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

W29GL032CB7S 数据手册

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W29GL032C  
32M-BIT  
3.0-VOLT PARALLEL FLASH MEMORY WITH  
PAGE MODE  
Publication Release Date: October 18, 2011  
Preliminary - Revision E  

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