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W29EE011Q90B

更新时间： 2024-11-10 20:29:23

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	289K
描述
Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 14 MM, STSOP-32

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W29EE011Q90B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.56,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.87	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 10-YEARS DATA RETENTION; 10K PROGRAM/ERASE CYCLE	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	12.4 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1K	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.56,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	128
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

W29EE011Q90B 数据手册

W29EE011

´ 8 CMOS FLASH MEMORY

128K

GENERAL DESCRIPTION

The W29EE011 is a 1-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 128K ´ 8 bits. The

device can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt VPP is

not required. The unique cell architecture of the W29EE011 results in fast program/erase operations

with extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory products).

The device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt program and erase operations

· Fast page-write operations

· Low power consumption

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- 128 bytes per page

- Page program cycle: 10 mS (max.)

- Effective byte-program cycle time: 39 mS

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Read access time: 90/150 nS

· Automatic program timing with internal VPP

generation

· End of program detection

- Toggle bit

- Data polling

· Latched address and data

· TTL compatible I/O

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Page program/erase cycles: 1K/10K

· Ten-year data retention

· Software and hardware data protection

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, TSOP

(8 x 20 mm), STSOP (8 x 14 mm), and PLCC

Publication Release Date: February 19, 2002

- 1 -

Revision A15

12 3 4 5 6 7...21

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与W29EE011Q90B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29EE011Q90Z	WINBOND	获取价格	Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 14 MM, LEAD FREE, STSOP-32
W29EE011S-12	WINBOND	获取价格	Flash, 128KX8, 120ns, PDSO32, 0.450 INCH, SOP-32
W29EE011S-12A	WINBOND	获取价格	Flash, 128KX8, 120ns, PDSO32, 0.450 INCH, SOP-32
W29EE011S-15	WINBOND	获取价格	Flash, 128KX8, 150ns, PDSO32, 0.450 INCH, SOP-32
W29EE011S-15A	WINBOND	获取价格	Flash, 128KX8, 150ns, PDSO32, 0.450 INCH, SOP-32
W29EE011S-90	WINBOND	获取价格	Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32, 0.450 INCH, SOP-32
W29EE011S-90A	WINBOND	获取价格	Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32, 0.450 INCH, SOP-32
W29EE011T-15	WINBOND	获取价格	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE011T15B	WINBOND	获取价格	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE011T-90	WINBOND	获取价格	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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