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W29EE01190B

更新时间： 2024-11-07 22:25:55
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 183K
描述
128K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W29EE01190B 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32针数：32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Is Samacsys：N最长访问时间：90 ns
JESD-30 代码：R-PDIP-T32长度：41.91 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.33 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
宽度：15.24 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

W29EE01190B 数据手册

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W29EE011  
128K ´ 8 CMOS FLASH MEMORY  
GENERAL DESCRIPTION  
´
The W29EE011 is a 1-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 128K 8 bits. The  
PP  
device can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt V is  
not required. The unique cell architecture of the W29EE011 results in fast program/erase operations  
with extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory  
products). The device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.  
FEATURES  
·
·
·
Single 5-volt program and erase operations  
Fast page-write operations  
Low power consumption  
-
-
Active current: 25 mA (typ.)  
- 128 bytes per page  
m
Standby current: 20 A (typ.)  
PP  
·
·
-
-
-
Page program cycle: 10 mS (max.)  
Automatic program timing with internal V  
generation  
m
Effective byte-program cycle time: 39 S  
Optional software-protected data write  
End of program detection  
-
-
Toggle bit  
·
·
·
·
·
Fast chip-erase operation: 50 mS  
Read access time: 90/150 nS  
Page program/erase cycles: 1K/10K  
Ten-year data retention  
Data polling  
·
·
·
·
Latched address and data  
TTL compatible I/O  
JEDEC standard byte-wide pinouts  
Software and hardware data protection  
Available packages: 32-pin 600 mil DIP,  
TSOP, and PLCC  
Publication Release Date: July 1999  
Revision A12  
- 1 -  
1234567...20

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与W29EE01190B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
W29EE011-90B WINBOND

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 		Flash, 128KX8, 90ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
W29EE011-90N WINBOND

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 		Flash, 128KX8, 90ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
W29EE011P WINBOND

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 		128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE011P-12 WINBOND

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 		Flash, 128KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29EE011P-15 WINBOND

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 		128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE011P-15A WINBOND

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 		Flash, 128KX8, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29EE011P15B WINBOND

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 		128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE011P15N WINBOND

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 		暂无描述
W29EE011P15Z WINBOND

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 		Flash, 128KX8, 150ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
W29EE011P-70 WINBOND

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 		Flash, 128KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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