是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | 启动块: | BOTTOM/TOP |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 2K | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 页面大小: | 256 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 256 | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 8 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W29C040T-90 | WINBOND |
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512K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C040T-90B | WINBOND |
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512K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C040T90BN | WINBOND |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, TSOP1-32 | |
W29C040T-90C | WINBOND |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO40, TSOP1-40 | |
W29C040T-90N | WINBOND |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, TSOP1-32 | |
W29C101-12 | ETC |
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x16 Flash EEPROM | |
W29C101-12B | ETC |
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x16 Flash EEPROM | |
W29C101-70 | ETC |
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x16 Flash EEPROM | |
W29C101-70B | ETC |
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x16 Flash EEPROM | |
W29C101-90 | ETC |
获取价格 |
x16 Flash EEPROM |