Datasheet > W29C040T-90N

W29C040T-90N

更新时间： 2024-11-20 21:15:43

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	329K
描述
Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, TSOP1-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W29C040T-90N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
耐久性：	1000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	2K	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	256 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	256	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

W29C040T-90N 数据手册

W29C040

´ 8 CMOS FLASH MEMORY

512K

GENERAL DESCRIPTION

The W29C040 is a 4-megabit, 5-volt only CMOS page mode Flash Memory organized as 512K ´ 8

bits. The device can be written (erased and programmed) in-system with a standard 5V power supply.

A 12-volt VPP is not required. The unique cell architecture of the W29C040 results in fast write (erase/

program) operations with extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt

flash memory products.) The device can also be erased and programmed by using standard EPROM

programmers.

FEATURES

· Single 5-volt write (erase and program)

operations

· Software and hardware data protection

· Low power consumption

· Fast page-write operations

- 256 bytes per page

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- Page write (erase/program) cycle: 5 mS

(typ.)

Automatic write (erase/program) timing with

internal VPP generation

- Effective byte-write (erase/program) cycle

time: 19.5 mS

· End of write (erase/program) detection

- Toggle bit

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Two 16 KB boot blocks with lockout

· Page write (erase/program) cycles: 50K (typ.)

· Read access time: 70/90/120 nS

· Ten-year data retention

- Data polling

· Latched address and data

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, TSOP

and PLCC

Publication Release Date: May 6, 2002

- 1 -

Revision A9

12 3 4 5 6 7...24

中文翻译

下载PDF

W29C040T-90N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
W29C040T90BN	WINBOND	功能相似	Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, TSOP1-32
W29C040T-90B	WINBOND	功能相似	512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C040T-90	WINBOND	功能相似	512K X 8 CMOS FLASH MEMORY

与W29C040T-90N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29C101-12	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
W29C101-12B	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
W29C101-70	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
W29C101-70B	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
W29C101-90	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
W29C101-90B	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
W29C101P-12	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
W29C101P-12B	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
W29C101P-70	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
W29C101P-70B	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM

与W29C040T-90N相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29C040T-90N

W29C040T-90N 技术参数

W29C040T-90N 数据手册

W29C040T-90N 替代型号

与W29C040T-90N相关器件

与W29C040T-90N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29C040T-90N

W29C040T-90N 技术参数

W29C040T-90N 数据手册

W29C040T-90N 替代型号

与W29C040T-90N相关器件

与W29C040T-90N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？