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W29C040T-12B

更新时间： 2024-11-19 22:41:27

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华邦 - WINBOND		/
页数	文件大小	规格书
20页	257K
描述
512K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W29C040T-12B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-40
针数：	40	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.91	最长访问时间：	120 ns
启动块：	BOTTOM/TOP	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	2K
端子数量：	40	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	256 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	256
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

W29C040T-12B 数据手册

W29C040

512K ´ 8 CMOS FLASH MEMORY

GENERAL DESCRIPTION

The W29C040 is a 4-megabit, 5-volt only CMOS page mode EEPROM organized as 512K ´ 8 bits.

The device can be written (erased and programmed) in-system with a standard 5V power supply. A

12-volt VPP is not required. The unique cell architecture of the W29C040 results in fast write (erase/

program) operations with extremely low current consumption compared to other comparable 5-volt

flash memory products. The device can also be written (erased and programmed) by using standard

EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt write (erase and program)

operations

· Software and hardware data protection

· Low power consumption

· Fast page-write operations

- 256 bytes per page

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- Page write (erase/program) cycle: 5 mS

(typ.)

· Automatic write (erase/program) timing with

internal VPP generation

- Effective byte-write (erase/program) cycle

time: 19.5 mS

· End of write (erase/program) detection

- Toggle bit

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Two 16 KB boot blocks with lockout

- Data polling

· Latched address and data

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Available packages: TSOP and PLCC

· Typical page write (erase/program) cycles:

1K/10K (typ.)

· Read access time: 90/120 nS

· Ten-year data retention

Publication Release Date: May 1999

- 1 -

Revision A5

12 3 4 5 6 7...20

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