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W29C040P-12C

更新时间： 2024-11-20 13:02:03

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		/
页数	文件大小	规格书
20页	257K
描述
Flash, 512KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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W29C040P-12C 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	PLASTIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.42
最长访问时间：	120 ns	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
长度：	13.97 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

W29C040P-12C 数据手册

W29C040

512K ´ 8 CMOS FLASH MEMORY

GENERAL DESCRIPTION

The W29C040 is a 4-megabit, 5-volt only CMOS page mode EEPROM organized as 512K ´ 8 bits.

The device can be written (erased and programmed) in-system with a standard 5V power supply. A

12-volt VPP is not required. The unique cell architecture of the W29C040 results in fast write (erase/

program) operations with extremely low current consumption compared to other comparable 5-volt

flash memory products. The device can also be written (erased and programmed) by using standard

EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt write (erase and program)

operations

· Software and hardware data protection

· Low power consumption

· Fast page-write operations

- 256 bytes per page

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- Page write (erase/program) cycle: 5 mS

(typ.)

· Automatic write (erase/program) timing with

internal VPP generation

- Effective byte-write (erase/program) cycle

time: 19.5 mS

· End of write (erase/program) detection

- Toggle bit

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Two 16 KB boot blocks with lockout

- Data polling

· Latched address and data

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Available packages: TSOP and PLCC

· Typical page write (erase/program) cycles:

1K/10K (typ.)

· Read access time: 90/120 nS

· Ten-year data retention

Publication Release Date: May 1999

- 1 -

Revision A5

12 3 4 5 6 7...20

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与W29C040P-12C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29C040P-12N	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29C040P-15B	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29C040P-70B	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29C040P70BN	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
W29C040P-90	WINBOND	获取价格	512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C040P-90B	WINBOND	获取价格	512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C040P90BN	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|512KX8\|CMOS\|LDCC\|32PIN\|PLASTIC
W29C040P-90C	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29C040P-90K	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29C040P-90N	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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