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W29C040-90N

更新时间： 2024-11-24 21:15:43

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	329K
描述
Flash, 512KX8, 90ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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W29C040-90N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.91	最长访问时间：	90 ns
启动块：	BOTTOM/TOP	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	1000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	41.91 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	2K
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
页面大小：	256 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.33 mm	部门规模：	256
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

W29C040-90N 数据手册

W29C040

´ 8 CMOS FLASH MEMORY

512K

GENERAL DESCRIPTION

The W29C040 is a 4-megabit, 5-volt only CMOS page mode Flash Memory organized as 512K ´ 8

bits. The device can be written (erased and programmed) in-system with a standard 5V power supply.

A 12-volt VPP is not required. The unique cell architecture of the W29C040 results in fast write (erase/

program) operations with extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt

flash memory products.) The device can also be erased and programmed by using standard EPROM

programmers.

FEATURES

· Single 5-volt write (erase and program)

operations

· Software and hardware data protection

· Low power consumption

· Fast page-write operations

- 256 bytes per page

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- Page write (erase/program) cycle: 5 mS

(typ.)

Automatic write (erase/program) timing with

internal VPP generation

- Effective byte-write (erase/program) cycle

time: 19.5 mS

· End of write (erase/program) detection

- Toggle bit

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Two 16 KB boot blocks with lockout

· Page write (erase/program) cycles: 50K (typ.)

· Read access time: 70/90/120 nS

· Ten-year data retention

- Data polling

· Latched address and data

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, TSOP

and PLCC

Publication Release Date: May 6, 2002

- 1 -

Revision A9

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29C040P-12	WINBOND	获取价格	512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C040P-12B	WINBOND	获取价格	512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C040P-12C	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29C040P-12N	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29C040P-15B	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29C040P-70B	WINBOND	获取价格	Flash, 512KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29C040P70BN	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
W29C040P-90	WINBOND	获取价格	512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C040P-90B	WINBOND	获取价格	512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C040P90BN	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|512KX8\|CMOS\|LDCC\|32PIN\|PLASTIC

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