Datasheet > 存储 > 闪存> W29C020-12A

W29C020-12A

更新时间： 2024-11-19 22:14:51

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	267K
描述
256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W29C020-12A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.44
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	128 BYTE PAGE WRITE; DATA RETENTION= 10 YEARS	启动块：	BOTTOM/TOP
数据保留时间-最小值：	10	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
JESD-609代码：	e3	长度：	41.91 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.33 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

W29C020-12A 数据手册

W29C020

256K ´ 8 CMOS FLASH MEMORY

GENERAL DESCRIPTION

The W29C020 is a 2-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 256K ´ 8 bits. The

device can be written (erased and programmed) in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt

VPP is not required. The unique cell architecture of the W29C020 results in fast write (erase/program)

operations with extremely low current consumption compared to other comparable 5-volt flash

memory products. The device can also be written (erased and programmed) by using standard

EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt write (erase and program)

operations

· Software and hardware data protection

· Low power consumption

· Fast page-write operations

- 128 bytes per page

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- Page write (erase/program) cycle: 10 mS

(max.)

· Automatic write (erase/program) timing with

internal VPP generation

- Effective byte-write (erase/program) cycle

time: 39 mS

· End of write (erase/program) detection

- Toggle bit

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Two 8 KB boot blocks with lockout

- Data polling

· Latched address and data

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Typical page write (erase/program) cycles:

100/1K/10K

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, 450 mil

SOP, TSOP, and 32-pin PLCC

· Read access time: 70/90/120 nS

· Ten-year data retention

Publication Release Date: February 1998

- 1 -

Revision A3

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

与W29C020-12A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29C020-12B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-70	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-70A	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-70B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-90	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-90A	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-90B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020C	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020C-12	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020C-12B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

与W29C020-12A相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29C020-12A

W29C020-12A 技术参数

W29C020-12A 数据手册

与W29C020-12A相关器件

与W29C020-12A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29C020-12A

W29C020-12A 技术参数

W29C020-12A 数据手册

与W29C020-12A相关器件

与W29C020-12A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？