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W29C011AS-15

更新时间： 2024-11-21 22:09:27

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
19页	153K
描述
128K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W29C011AS-15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.450 INCH, SOP-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.85	最长访问时间：	150 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.45 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP32,.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	页面大小：	128 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

W29C011AS-15 数据手册

Preliminary W29C011A

128K ´ 8 CMOS FLASH MEMORY

GENERAL DESCRIPTION

The W29C011A is a 1-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 128K ´ 8 bits. The

device can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt VPP is

not required. The unique cell architecture of the W29C011A results in fast program/erase operations

with extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory

products). The device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt program and erase operations

· Fast page-write operations

· Low power consumption

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- 128 bytes per page

- Page program cycle: 10 mS (max.)

- Effective byte-program cycle time: 39 mS

- Software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Read access time: 150 nS

· Automatic program timing with internal VPP

generation

· End of program detection

- Toggle bit

- Data polling

· Latched address and data

· TTL compatible I/O

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Page program/erase cycles: 1,000

· Ten-year data retention

· Software and hardware data protection

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, 450

mil SOP and PLCC

Publication Release Date: December 1997

- 1 -

Revision A1

12 3 4 5 6 7...19

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