是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.71 |
最长访问时间: | 150 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
页面大小: | 128 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.56 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W29C011AP-15N | WINBOND |
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Flash, 128KX8, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
W29C011AS-15 | WINBOND |
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128K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020 | WINBOND |
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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020-12 | WINBOND |
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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020-12A | WINBOND |
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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020-12B | WINBOND |
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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020-70 | WINBOND |
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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020-70A | WINBOND |
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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020-70B | WINBOND |
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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020-90 | WINBOND |
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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |