Datasheet > W29C011AP-15N

W29C011AP-15N

更新时间： 2024-11-22 20:08:31

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	166K
描述
Flash, 128KX8, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W29C011AP-15N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	PLASTIC, LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.77	最长访问时间：	150 ns
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

W29C011AP-15N 数据手册

W29C011A

´ 8 CMOS FLASH MEMORY

128K

GENERAL DESCRIPTION

The W29C011A is a 1-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 128K ´ 8 bits. The

device can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt VPP is

not required. The unique cell architecture of the W29C011A results in fast program/erase operations

with extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory products).

The device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt program and erase operations

· Fast page-write operations

· Low power consumption

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- 128 bytes per page

- Page program cycle: 10 mS (max.)

- Effective byte-program cycle time: 39 mS

- Software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Read access time: 150 nS

· Automatic program timing with internal VPP

generation

· End of program detection

- Toggle bit

- Data polling

· Latched address and data

· TTL compatible I/O

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Page program/erase cycles: 1,000

· Ten-year data retention

· Software and hardware data protection

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, 450 mil

SOP and PLCC

Publication Release Date: January 31, 2002

- 1 -

Revision A3

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与W29C011AP-15N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29C011AS-15	WINBOND	获取价格	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-12	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-12A	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-12B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-70	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-70A	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-70B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-90	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020-90A	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

与W29C011AP-15N相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

34
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29C011AP-15N

W29C011AP-15N 技术参数

W29C011AP-15N 数据手册

与W29C011AP-15N相关器件

与W29C011AP-15N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29C011AP-15N

W29C011AP-15N 技术参数

W29C011AP-15N 数据手册

与W29C011AP-15N相关器件

与W29C011AP-15N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？