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W2830HE520

更新时间： 2024-11-22 19:39:15

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力特 - LITTELFUSE		测试二极管
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Rectifier Diode,

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W2830HE520 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	3.05 V
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	36000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	2830 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	最大重复峰值反向电压：	5200 V
最大反向电流：	100000 µA	最大反向恢复时间：	41 µs
反向测试电压：	5200 V	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

W2830HE520 数据手册

Date:- 24^thSeptember, 2015

Data Sheet Issue:- A1

Rectifier Diode

Types W2830HE520 to W2830HE600

Development Type No.: WX332HE520-600

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

VOLTAGE RATINGS

UNITS

LIMITS

5200-6000

5300-6100

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_F(AV)M

Maximum average forward current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 3)

2830

1905

1100

I_F(RMS)MNominal RMS forward current, T_sink=25°C, (note 2)

5235

I_F(d.c.)

I_FSM

I_FSM2

I²t

D.C. forward current, T_sink=25°C, (note 4)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm£10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm£10V, (note 5)

Operating temperature range

4740

A²s

°C

5.12×10⁶

6.48×10⁶

-40 to +150

-55 to +150

I²t

T_{j op}

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Cathode side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 150°C T_jinitial.

Data Sheet. Types W2830HE520 to W2830HE600 Issue A1

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September, 2015

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W2899MC400	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2899A, 4000V V(RRM), Silicon,

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